TSMC начнёт использовать High-NA EUV в 2030 году: A10 или A11 станут первыми
Компания TSMC официально подтвердила планы по внедрению литографии High-NA EUV в массовое производство уже к 2030 году, что стало значимым шагом для индустрии полупроводников. Долгое время тайваньский гигант избегал публичных комментариев относительно сроков перехода на эту технологию, предпочитая развивать существующие Low-NA EUV системы, однако экономическая целесообразность и растущая сложность архитектуры транзисторов заставили пересмотреть стратегию. Теперь отраслевые ожидания сфокусированы на том, что именно станет первым кандидатом на использование столь дорогого оборудования: вероятнее всего, речь пойдет о технологических узлах A10 или A11.
Важно понимать контекст: High-NA EUV (высокая численная апертура) — это следующая эволюционная ступень после текущих Low-NA систем, которые уже используются для производства чипов класса N2 и A14. Стоимость сканеров от ASML для новой технологии оценивается примерно в 400 миллионов долларов, что делает их доступными далеко не всем. TSMC ранее успешно продвигалась без них, но теперь компания признала, что опираться на старые системы навсегда невозможно из-за физических ограничений и необходимости дальнейшего масштабирования плотности транзисторов.
Согласно новым планам, массовое производство с использованием High-NA EUV начнется в 2030 году при использовании стандартных фотомасок размером 6×6 дюймов. Следующим шагом станет создание пилотной линии в 2031 году с переходом на более крупные и дорогие фотомаски 6×12 дюймов, что позволит интегрировать High-NA системы в производство передовых узлов к 2033 году. ASML подтверила поддержку этой инициативы со стороны производителей чипов и поставщиков масок.
Ключевой вопрос заключается в том, какой именно технологический узел станет первым пользователем High-NA EUV. TSMC не назвала точную модель, но аналитики сходятся во мнении, что наиболее вероятными кандидатами являются A10 или A11 (класс 1/1.1 нм). Текущая стратегия компании разделяет узлы на ежегодные клиентоориентированные (N2, N2P, N2X, A14, A13) и двухгодичные высокопроизводительные (A16 в 2027 году, A12 в 2029 году). Известно, что узлы A12 и A13, запланированные на 2029 год, продолжат использовать традиционную Low-NA EUV.
Узел A13 представляет собой оптическое сжатие A14, увеличивающее плотность транзисторов всего на 6% без раскрытия деталей по производительности и энергопотреблению. Его преемник в 2030 году должен принести существенно более значимые улучшения. Поэтому логично ожидать, что следующий шаг после A13 — будь то A11 или A10 — будет использовать передовую литографию High-NA EUV и/или транзисторы третьего поколения с архитектурой GAA (Gate-All-Around) для достижения высокой плотности упаковки и реального прироста характеристик.
Компания также ожидает, что количество слоев, обрабатываемых с помощью High-NA EUV, будет постепенно расти по мере усложнения архитектуры транзисторов. Это подразумевает переход к более сложным реализациям GAA и комплементарных полевых транзисторов (CFETs) в будущем. Однако стоит помнить, что все прогнозы относительно конкретных названий узлов остаются спекулятивными, так как TSMC официально не раскрыла финальный выбор.
Переход на High-NA EUV также потребует от индустрии адаптации к новым стандартам фотомасок и изменениям в производственных линиях. Использование масок 6×12 дюймов вместо стандартных 6×6 дюймов требует новых подходов к производству масок, что может стать дополнительным вызовом для поставщиков.
В целом, анонс TSMC о запуске High-NA EUV в 2030 году открывает новую главу в производстве полупроводников. Это решение позволит продолжить развитие миниатюризации и повышения производительности чипов, но потребует значительных инвестиций и координации между производителями оборудования, поставщиками масок и заказчиками. Ожидается, что первые результаты использования этой технологии будут видны уже через несколько лет после начала массового производства.
Гика
