CXMT планирует выпустить DDR5-RDIMMs с архитектурой 4F² к 2026 году
Китайский производитель DRAM-памяти CXMT (ChangXin Memory Technologies) планирует представить серверную память DDR5-RDIMM на базе архитектуры ячеек 4F² до конца 2026 года. Об этом было заявлено на конференции по чиплетам в Шанхае. Если компания сможет перевести эту технологию в серийное производство, это станет значимым достижением, так как текущие планы Samsung по внедрению аналогичной структуры 4F² связывают с более поздним периодом — 2028 годом.
Суть технологии 4F²
Речь идет не об изменении интерфейса DDR5, а о переходе на новый тип структуры самих ячеек памяти. Классические планарные (плоские) ячейки DRAM при постоянном уменьшении техпроцесса сталкиваются с физическими ограничениями. Архитектура 4F² призвана существенно сократить площадь, занимаемую одной ячейкой, что позволит разместить большее количество элементов на одной пластине (wafer).
Переход от стандартной конфигурации 6F² к 4F² теоретически увеличивает плотность памяти на 30–50%. Для производителей это означает снижение себестоимости одного гигабита, увеличение емкости модулей и повышение маржинальности. Однако реализация такой технологии крайне сложна: уменьшение размера ячейки усложняет контроль транзисторов, структуру конденсаторов и борьбу с токами утечки.
Платформа G5 и Hybrid Bonding
Согласно имеющимся данным, CXMT может объединить архитектуру 4F² с технологией Hybrid Bonding. Этот метод позволяет соединять слои полупроводников напрямую через микроскопические медные контакты, минуя традиционные микровыступы (microbumps). Подобный подход уже применяется в производстве высокоскоростной памяти HBM.
Важно отметить, что в сентябре CXMT уже анонсировала массовое производство своей пятой платформы DRAM — G5. Эта технология включает использование SAQP-мультипассинга, высокую аспектную соотношение конденсаторов и новые структуры Low-k. Платформа G5 уже применяется для производства 24-Gb LPDDR5X, и именно она может стать технологическим фундаментом для новых серверных решений.
Конкуренция и реалии рынка
Несмотря на амбициозные планы, заголовок о том, что CXMT «обгонит Samsung», требует осторожности. Анонсированный график — это не подтвержденная массовая экспансия. Для серверного сегмента критически важны не только плотность, но и показатели выхода годных кристаллов (yield), долгосрочная надежность, работа механизмов ECC и стабильное энергопотребление. В этих аспектах лидерство сохраняют Samsung, SK Hynix и Micron.
Тем не менее, темпы роста CXMT впечатляют. Компания уже предлагает модули DDR5 с эффективной частотой до 8000 MT/s и активно расширяет мощности, заключая контракты с крупнейшими китайскими облачными провайдерами. Даже если компания не станет лидером в сегменте HBM4, конкурентоспособность в массовом сегменте серверной памяти DDR5 позволит ей оказывать серьезное давление на ценообразование на рынке.
Гика
