SOCAMM3: новый стандарт памяти для NVIDIA Rosa и AMD Florence
Стандарт памяти SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) стремительно эволюционирует. Пока первая и вторая версии закрепляют свои позиции, уже известно о разработке третьего поколения — SOCAMM3. Этот стандарт, ориентированный на энергоэффективные DRAM-чипы, станет ключевым для ИИ-инфраструктуры и серверных платформ, начиная с 2028 года. Основными потребителями новой технологии станут архитектуры NVIDIA Rosa и AMD Florence.
Технические особенности SOCAMM
Разработка SOCAMM опирается на опыт использования стандартов CAMM и CAMM2, однако делает упор на максимально плоский профиль и высокую энергоэффективность. Текущие спецификации модулей подразумевают компактные габариты: длина составляет 90 мм, а ширина — всего 14 мм. В отличие от традиционных UDIMM, модули не вставляются вертикально, а укладываются на поверхность и фиксируются тремя винтами для обеспечения плотного контакта. Конструкция односторонняя: все чипы памяти расположены на лицевой стороне, в то время как на обратной стороне размещены 694 контакта ввода-вывода.

Будущее стандарта: SOCAMM3 и LPDDR6
Согласно сообщениям южнокорейских СМИ, компания TLB, занимающаяся производством печатных плат для этих модулей, уже ведет переговоры с двумя крупными заказчиками по поводу SOCAMM3. Хотя финальные спецификации еще не утверждены, массовое производство планируется на 2028 год. Ожидается, что SOCAMM3 будет базироваться на стандарте LPDDR6, который обеспечит необходимую пропускную способность и низкое энергопотребление для задач искусственного интеллекта.

Переход на новый стандарт затронет крупнейших игроков рынка. Для NVIDIA это логичное развитие линейки процессоров Rosa (преемников Grace и Vera). Что касается AMD, то компания уже подтвердила поддержку «памяти следующего поколения» (Next Gen Memory) в своих серверных решениях. Это означает, что архитектуры Zen 7 (Florence) и Zen 8 (Ravenna), запланированные на конец 2028 года, с высокой долей вероятности получат поддержку SOCAMM для обеспечения высокой плотности и скорости работы памяти в дата-центрах.