SK hynix откладывает гибридное связывание для HBM5: HBM4E останется на MR-MUF
Компания SK hynix подтвердила на конференции Hot Chips 2026, что технология Hybrid Bonding не будет внедрена в HBM4E и останется резервной для будущих поколений. Вице-президент по упаковке Jaesik Lee объяснил это физическими ограничениями: даже с увеличением максимальной высоты упаковки до 775 мкм (стандарт JEDEC) производители вынуждены утончать чипы до 50 мкм, чтобы компенсировать рост количества слоев. Пока что компания будет развивать технологию MR-MUF, которая подходит для текущих задач, тогда как переход к гибридной пайке запланирован на HBM5.
Почему не Hybrid Bonding в HBM4E?
Основная причина задержки внедрения новой технологии кроется в физике упаковки. JEDEC повысил лимит высоты модуля памяти с 720 до 775 мкм, что примерно равно толщине стандартного кремниевого пластина 300 мм. Это необходимо для совместимости с логическими чипами и эффективного охлаждения через единый холодный пластин (coldplate). Если бы компания использовала Hybrid Bonding уже сейчас, она могла бы сделать чипы тоньше, но это создало бы новые проблемы: сложнее контролировать деформацию ультратонких слоев и заполнять микроскопические зазоры между ними.
MR-MUF остается актуальным
Технология Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), которую SK hynix применяет сейчас, пока еще эффективна. Процесс заключается в наложении чипов друг на друга и последующей стабилизации с помощью эпоксидной смолы. Несмотря на то, что уменьшение толщины чипов усложняет контроль качества и заполнение зазоров, компания не спешит отказываться от проверенного метода. Кроме того, SK hynix сохраняет эксклюзивные права на необходимые материалы для MR-MUF, что делает переход к новой технологии менее срочным.
Тепловые вызовы
Переход к Hybrid Bonding неизбежно приведет к росту тепловыделения. Данные компании показывают, что тепловая нагрузка выросла в 2,2 раза с первых поколений HBM. При этом скорость передачи данных увеличилась с 1 Гбит/с до 8 Гбит/с на контакт. Чтобы справиться с этим, SK hynix уже разрабатывает концепцию iHBM для более эффективного отвода тепла изнутри стека памяти.
Когда ждать Hybrid Bonding?
По словам Jaesik Lee, технология Hybrid Bonding станет доступна не раньше HBM5. Это решение позволит напрямую соединять контакты без использования классической пайки, что сократит расстояние между чипами и улучшит энергоэффективность. Ожидается, что массовое производство таких модулей начнется в период 2029–2030 годов. До этого момента производители будут вынуждены искать баланс между ростом производительности и физическими ограничениями упаковки.
Гика
