SK hynix вложит €33,1 млрд в новые заводы по производству памяти

Согласно сообщению издания Hardwareluxx, большая часть инвестиций — **€21,4 млрд** — будет направлена на строительство новой фабрики Y2 для производства DRAM в кластере Yongin (южнее Сеула). Оставшиеся **€11,6 млрд** пойдут на расширение завода M17, специализирующегося на производстве NAND-памяти, расположенного в городе Cheongju.

Совет директоров компании уже одобрил эти планы. Строительство нового DRAM-завода Y2 начнётся в июле 2027 года, а первая чистая комната (фабричная галерея) должна будет начать работу к июню 2029 года. На этом объекте планируется выпускать продукты с высокой пропускной способностью памяти (High-Bandwidth Memory) и передовые DRAM-чипы.

Завод Y2 станет вторым в кластере Yongin, где уже находится фабрика Y1. Первая чистая комната на заводе Y1 должна была быть готова к работе ещё раньше — в феврале 2027 года. Компания намерена завершить строительство всего кластера Yongin к 2033 году, что на двенадцать лет быстрее первоначального графика.

Выбор города Cheongju для новой NAND-фабрики обусловлен скоростью строительства и наличием инфраструктуры: на площадке уже расположены заводы M11, M12 и M15, что упрощает подключение к энергосетям и водоснабжению. В долгосрочной перспективе компания планирует потратить ещё €365 млрд в кластере Yongin и около €61 млрд на площадке Cheongju.

По мнению руководства SK hynix, технологического превосходства уже недостаточно; ключевым фактором успеха становится способность точно соответствовать спросу клиентов в нужный момент времени. Данная инвестиция также поддерживает государственную стратегию Южной Кореи по позиционированию страны как ведущего центра передовых технологий в эпоху искусственного интеллекта.