SanDisk HBF: отладка завершена, образцы памяти появятся в 2027 году
SanDisk объявил о завершении этапа tape-out для своей новой технологии HBF (High Bandwidth Flash), которая позиционируется как альтернатива популярному в сфере ИИ HBM. Первые образцы продукции компания планирует поставлять клиентам уже в 2027 году.
Главное отличие HBF от традиционных чипов памяти заключается в использовании NAND-памяти вместо DRAM, что позволяет достичь значительно большей ёмкости. Один чип может содержать до 16 стеков и обеспечивать объём до 512 ГБ, тогда как текущие решения на базе HBM3E ограничены 24–48 ГБ на стек. При сохранении широкого интерфейса в 1024 бита это открывает возможность для ускорителей архитектуры Blackwell и линейки Instinct увеличивать объём памяти с текущих 256–288 ГБ до впечатляющих 4096 ГБ.
В отличие от HBM, который остаётся проприетарным решением, SanDisk намерена перевести технологию HBF в стандарт JEDEC. Это позволит другим производителям памяти разрабатывать совместимые продукты и расширить рынок. Для ускорения разработки компания привлекла к техническому совету бывших руководителей AMD и Intel — Раджу Кодури и Джима Келлера.
Гика
