Micron переходит на 1δ-производство и архитектуру 6F²: планы по High-NA EUV и vHBM
В ходе недавнего вебинара компания Micron представила подробный план развития своих технологий производства DRAM. Ключевым этапом станет переход к поколению 1δ (1-Delta), массовое производство которого планируется запустить во второй половине 2027 года на заводе в Бойсе, штат Айдахо. Это пятое поколение подряд, с которым компания намерена укрепить свое технологическое лидерство.
Технологическая дорожная карта: от 1δ до High-NA EUV
Согласно представленным данным, Micron сейчас находится на этапе развертывания производства по методу 1δ (1-Delta), который сменит текущий 1γ (1-Gamma). Переход на 1δ призван увеличить плотность хранения данных примерно на 25% по сравнению с предыдущим поколением, что позволит снизить себестоимость одного бита памяти. Для достижения этой цели компания планирует использовать усовершенствованную литографию EUV с контролем процессов на ангстремном уровне, новые материалы и оптимизированную технологию HKMG (High-k Metal Gate CMOS) для улучшения скорости и энергопотребления.
В долгосрочной перспективе компания закладывает фундамент для еще более масштабных изменений. В разработке находится процесс 1ε (1-Epsilon) с использованием технологии Wafer Bonding, а на ранних стадиях проектирования — поколение 1ζ (1-Zeta), где планируется применение литографии High-NA EUV. Для поколения 1η (1-Eta) компания уже рассматривает принципиально новые подходы в рамках этапа «Pathfinding».
Смена архитектуры: отказ от 4F² в пользу 6F²
Одним из наиболее значимых технических решений стало признание тупиковой ветви развития технологии 4F². Несмотря на 20-летние исследования и наличие прототипов, Micron решила сменить вектор развития на архитектуру 6F². Основная причина заключается в ограничениях плотности размещения конденсаторов (Capacitor Pitch): компания утверждает, что именно расстояние между ними, а не площадь транзистора, является определяющим фактором для масштабирования плотности памяти. Это решение контрастирует со стратегией конкурента SK hynix, который в июне 2026 года представил разработки 4F² с вертикальным затвором для преодоления подобных барьеров.
Будущее HBM и вертикальная интеграция
Micron также представила планы по развитию высокоскоростной памяти, включая HBM5, vHBM и vEIM. Основное внимание уделено упаковке чипов: компания планирует использовать Hybrid Copper Bonding для максимально плотного соединения кристаллов (dies) практически без зазоров. Для стеков объемом до 16 слоев будет применяться комбинация микровыводов (Microbumps) и гибридного соединения.
Особое место в стратегии занимает концепция Vertical HBM (vHBM). В отличие от классической компоновки, где память располагается рядом с процессором на общем интерпозере, vHBM предполагает установку стека памяти непосредственно на вычислительный чип. Это должно сократить длину электрических путей, обеспечивая более высокую пропускную способность и низкое энергопотребление, что критически важно для ИИ-ускорителей. Точные показатели прироста производительности в рамках этой технологии компания пока не разглашает.
Гика
