Intel изучает архитектуру с вертикальным стекингом памяти: Lip-Bu Tan говорит о HBM, но не о возвращении в DRAM
Компания Intel снова активно рассматривает вопросы архитектуры памяти. CEO Lip-Bu Tan в недавнем интервью отметил, что новые подходы к интеграции памяти с вычислительными блоками открывают возможности для значительных технических инноваций. Речь идёт о более плотной связи памяти с процессорами и даже о прямом вертикальном стекинге чипов над ними. При этом компания не анонсировала возврат в классическое производство DRAM или NAND-чипов.
Интеграция памяти ближе к вычислительным блокам
Новые идеи Intel принципиально отличаются от простого запуска новой фабрики по производству чипов памяти. Современные системы искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC) всё чаще ограничены скоростью передачи данных между вычислительными ядрами и памятью. Поэтому физическая интеграция логики, кэша и высокоскоростной памяти становится критически важной.
Классическим примером здесь выступает HBM (High Bandwidth Memory). В таких системах несколько чипов DRAM вертикально укладываются друг на друга и подключаются к процессору или ускорителю через широкие интерфейсы. Обычно такие стеки находятся в одном корпусе с вычислительным блоком, но память размещается рядом с логикой и подключается через интерпоузеры или другие методы упаковки.
Lip-Bu Tan говорит о ещё более глубокой интеграции: размещение памяти непосредственно над процессором. Это позволило бы сократить длину соединений и увеличить пропускную способность. Однако для реализации такой архитектуры потребуются сложные технологии 3D-стекинга, сверхплотные соединения и эффективное отведение тепла. Конкретная технология, тип памяти или сроки запуска не были названы.
Стратегия упаковки против производства
Важным контекстом является кадровое решение в Intel: в июне 2026 года компания вернула Seok-Hee Lee, бывшего президента и CEO SK hynix. Lee получил должность исполнительного вице-президента по направлению Intel Foundry, отвечая за передовое упаковку (Advanced Packaging), системную интеграцию и backend-производство.
Целью Intel в этом направлении является создание более тесной связи между логикой, памятью, сетевыми технологиями и другими компонентами. Seok-Hee Lee будет развивать технологии, такие как EMIB и HBM, которые критически важны для эффективного соединения вычислительных чипов, блоков ввода-вывода и памяти HBM в системах ИИ.
Это стратегия развития направления Advanced Packaging, а не создание новой фабрики по производству стандартных модулей DDR5 или NAND-чипов. Рынки DRAM и NAND характеризуются высокой конкуренцией со стороны Samsung, SK hynix и Micron (для DRAM) и Kioxia, SanDisk (для NAND), а также огромными капитальными затратами.
Официальный статус: что подтверждено, а что нет
Важно понимать разницу между разработкой архитектуры и запуском производства. Intel полностью завершила продажу своего подразделения по производству NAND и SSD компании SK hynix в марте 2025 года (получив около $1,9 млрд). Разработку линейки Optane компания прекратила ещё в 2022 году.
Заявления Lip-Bu Tan и назначение Seok-Hee Lee указывают на стратегический интерес к новым формам интеграции памяти через упаковку, но не на возврат в бизнес по производству стандартных чипов памяти. Это подтверждается анализом источников Barron's и Tom's Hardware, которые интерпретируют новости как сигнал о стратегической пересмотре подхода к упаковке, а не как объявление о запуске новой фабрики.
Гика
